Samsung представила память для ИИ с плотностью хранения на 58% выше
Samsung Electronics представила новые разработки в области памяти для ИИ-систем — прототип V-NAND с более чем 400 слоями и архитектуру, в которой память размещается непосредственно над ускорителем. Компания рассчитывает, что эти решения помогут ей укрепить позиции на быстрорастущем рынке ИИ-инфраструктуры.
На конференции Future of Memory and Storage (FMS), которая проходит в американской Санта-Кларе, Samsung продемонстрировала прототип чипа памяти V10 Bonding V-NAND (BV-NAND). Он насчитывает более 400 слоев и создается с применением новой технологии соединения полупроводниковых пластин. По данным производителя, плотность хранения у такого чипа примерно на 58% выше, чем у V9 NAND. Кроме того, технология повышает скорость чтения, записи и обмена данными.
В Samsung объяснили, что спрос на высокопроизводительную NAND-память растет по мере распространения ИИ-систем. Такие системы используют не только для обучения больших языковых моделей, но и для инференса (inference) — обработки запросов в режиме реального времени. Сама NAND-память служит для хранения данных в смартфонах, серверах и других устройствах.
Samsung также представила концепции архитектур zHBM и zNAND-O, которые компания называет следующим этапом развития трехмерной памяти. В традиционной архитектуре HBM модули памяти располагаются рядом с ИИ-ускорителем, тогда как zHBM предусматривает их вертикальное размещение непосредственно над ним. Такая компоновка сокращает расстояние, которое проходят данные, увеличивает пропускную способность и повышает энергоэффективность.
По расчетам Samsung, применение технологии соединения пластин в zHBM позволит более чем в десять раз увеличить плотность памяти по сравнению с HBM5 традиционной компоновки, втрое повысить энергоэффективность и более чем вдвое снизить тепловое сопротивление.
Хотя часть инвесторов опасается ослабления спроса на смартфоны в Китае, ИИ-сектор по-прежнему поддерживает рынок памяти, отмечают аналитики. На прошлой неделе Samsung сообщила, что со временем на долгосрочные соглашения с клиентами может приходиться 60–70% продаж ее подразделения памяти. В Citi добавили, что запасы DRAM и NAND в цепочках поставок остаются значительно ниже исторических уровней, несмотря на риск снижения спроса со стороны конечных потребителей.
Подпишитесь на «Инк» в Telegram. Там мы пишем нескучным языком о самом важном для предпринимателей. Подписаться.
