Samsung, SK hynix и Micron обвинили в сговоре на фоне рекордного роста цен на оперативную память
Против Samsung, SK hynix и Micron 25 июня подали антимонопольный иск в федеральный суд Северного округа Калифорнии. Семнадцать истцов утверждают, что производители памяти координировали ограничение поставок DRAM, из-за чего цены за четыре года выросли примерно на 700%. Дело Garciaguirre v. Samsung Electronics было передано судье Ноэлу Уайзу, а требования истцов основаны на статье 1 закона Шермана.
Истцы считают, что компании использовали переход на производство HBM — высокоскоростной памяти для ИИ-ускорителей — как прикрытие для сокращения выпуска более старых модулей DDR3 и DDR4. По их версии, уменьшение предложения подняло цены до рекордного уровня, а новые конкуренты не могли быстро восполнить дефицит. Строительство завода по выпуску DRAM занимает несколько лет и требует десятков миллиардов долларов инвестиций.
Среди истцов оказались 14 частных лиц и три небольшие компании, связанные с ремонтом, сборкой и продажей техники. В их числе Troy’s Computers и зарегистрированная во Флориде My Florida PC. Недавнее повышение цен Apple на iPad и Mac они приводят как пример того, как дефицит памяти отразился на стоимости готовых устройств. Истцы просят суд признать дело групповым, запретить предполагаемые нарушения и взыскать убытки в тройном размере.
Это не первая попытка связать действия трех производителей с возможным сговором. Похожий иск, поданный при участии юридической фирмы Hagens Berman в 2018 году, был отклонен федеральным судом в 2020-м, а в 2022 году это решение оставил в силе апелляционный суд девятого округа. Судьи сочли, что одновременное сокращение выпуска могло объясняться независимой реакцией компаний на одинаковую рыночную ситуацию. Восемь дополнительных обстоятельств, на которые ссылались истцы, не сделали версию о предварительной договоренности достаточно правдоподобной.
В новом иске переход на HBM представлен как дополнительное обстоятельство, которого не было в предыдущем деле. Истцы утверждают, что производители одновременно перенаправляли мощности на более прибыльную память для ИИ и сокращали предложение обычной DRAM. Сами компании объясняли изменения производства растущим спросом на HBM, а их представители предупреждали, что дефицит памяти может сохраняться несколько лет.
Jefferies ожидает, что средние отпускные цены на DRAM и NAND в третьем квартале вырастут на 40−50% по сравнению с предыдущим кварталом, а в четвертом прибавят еще 30−40%.
В 2027 году банк прогнозирует рост цен на память еще на 40−45% год к году. Перелом может наступить только в 2028-м, когда на рынок выйдут новые производственные мощности.
Пока речь идет только об утверждениях истцов, которые суд еще не оценивал по существу. Групповой статус делу также не присвоен. Ответчики получили судебные повестки, но еще не представили содержательных возражений против обвинений.
Подпишитесь на «Инк» в Telegram. Там мы пишем нескучным языком о самом важном для предпринимателей. Подписаться.
